Samsung начала производство серверных модулей памяти DDR4 объемом 128 ГБ

Samsung начала массовое производство первых модулей памяти DDR4 объемом 128 ГБ для серверов. Такой плотности упаковки удалось достичь благодаря применению объемной компоновки чипов с межслойными соединениями (TSV).

Если в блоках с традиционной конструкцией стек реализуется посредством проводного соединения входящих в его состав чипов, то в случае технологии сквозного вертикального соединения (TSV) кристаллы кремния стачиваются до толщины в несколько микронов, после чего их соединяют с помощью электродов, проходящих через сделанные по всей площади отверстия. Благодаря этому достигается значительное улучшение передачи сигнала.

В каждом буферизованном модуле типа RDIMM объемом 128 ГБ используется 36 упаковок объемом по 4 ГБ, содержащих по четыре 20-нм чипа емкостью 8 Гб, связанных межслойными соединениями. Таким образом, общее число чипов DRAM в модуле достигает 144.

Кроме того, в новых модулях памяти в состав каждого блока входит мастер-чип с функцией буферизирования данных, что позволяет оптимизировать производительность модуля и улучшить энергопотребление.

Представленная память работает на эффективной частоте до 2400 МГц. В ближайших планах компании находится выпуск модулей аналогичной емкости со скоростями DDR4-2667 и DDR4-3200.

По оценкам Samsung, новые модули памяти обеспечивают практически двукратное увеличение производительности и 50-процентное уменьшение энергопотребления по сравнению с предыдущим поколением модулей DRAM.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365