`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Разработана модель резистивной памяти на основе 2D-материалов

0 
 
Разработана модель резистивной памяти на основе 2D-материалов

Группа под управлением доктора Марио Ланца (Mario Lanza) из китайского университета Сучжоу опубликовала в журнале 2D Materials статью, посвящённую её последнему достижению в исследованиях свойств многослойных диэлектриков.

Авторами была синтезирована резистивная память RRAM в виде сэндвича из слоёв графена, гексагонального нитрида бора и графена (G/h-BN/G), удерживаемых вместе силами Ван-дер-Ваальса. Кроме того, была разработана компактная модель, точно описывающая функционирование такой памяти.

Предложенная модель использует нелинейное приближение Ландауэра для мезоскопических проводников — в данном случае, для волокон атомарных размеров, формирующихся внутри системы 2D-материалов. Как сообщается, модель смогла вскрыть причины наблюдавшегося от цикла к циклу разброса данных: он определяется конфигурацией волокон и, в частности, высотой удерживающего их потенциального барьера.

Разработка теоретических моделей функционирования электронных устройств необходима для симуляции устройств и систем, что, в свою очередь, является обязательным этапом на пути к их запуску в массовое производство. Избранная для моделирования память RRAM, это очень перспективная технология для высокоплотных запоминающих устройств будущих поколений.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT