`

Schneider Electric - Узнайте все про энергоэффективность ЦОД


СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Перезапуск закона Мура?

+11
голос

Исследователи из Университета Джона Хопкинса разработали новый метод производства атомно-тонких полупроводниковых кристаллов, который мог бы однажды создать более мощные и компактные электронные устройства.

Используя специально обработанные кремниевые поверхности для формирования размера и формы кристаллов, исследователи нашли потенциально более быстрый и менее дорогой способ производства полупроводниковых кристаллов следующего поколения для микрочипов. Кристаллические материалы, полученные таким способом, могут, в свою очередь, сделать возможными новые научные открытия и ускорить технологические разработки в области квантовых вычислений, бытовой электроники и более эффективных солнечных элементов и батарей.

«Наличие метода точной, быстрой и прозрачной лепки кристаллов на наношкале без необходимости традиционных нисходящих процессов представляет большие преимущества для широкого использования наноматериалов в технологических приложениях», - сказал Томас Дж. Кемпа (Thomas J. Kempa), профессор химии из Университета Джона Хопкинса, который руководил исследованиями.

Команда проф. Кемпа впервые нанесла на кремниевые подложки, широко используемые в промышленных условиях для обработки полупроводников в устройствах, газообразный фосфин. Когда кристаллы удалось выращивать на обработанных фосфином кремниевых подложках, авторы обнаружили, что они образовали структуры, которые были намного меньше и более высокого качества, чем кристаллы, полученные традиционными способами.

Исследователи обнаружили, что реакция фосфина с кремниевой подложкой вызвала образование новой «дизайнерской поверхности». Эта поверхность стимулировала рост кристаллов в виде горизонтальных «лент», в отличие от плоских и треугольных листов, которые обычно изготавливаются. Кроме того, однородный характер и четкая структура этих лент соперничали с качеством нанокристаллов, полученных с помощью стандартных в отрасли процессов нанесения паттернов и травления, которые часто являются трудоемкими, длительными и дорогостоящими, сказал проф. Кемпа.

Нанокристаллы, полученные в этом исследовании, называются «дихалькогенидами переходных металлов» (TMD). Как и графен, нанокристаллы TMD пользуются широким вниманием за обладание мощными свойствами, которые являются уникальным следствием их «двумерной» шкалы.

Примечательно, что версии TMD, которые проф. Кемпа и его команда смогли создать, были настолько малы, что они назвали их «одномерными», чтобы отличать их от обычных двумерных листов, с которыми знакомы большинство исследователей.

Ограничения обработки материалов являются одной из причин замедления действия закона Мура в последние годы. Правило, введенное в 1965 году соучредителем IBM Гордоном Э. Муром, гласит, что число транзисторов и их производительность в плотной интегральной схеме удваивается примерно каждые два года. Полупроводниковая промышленность в настоящее время пытается сохранить этот темп.

«Мы вносим фундаментальный вклад в рациональный контроль формы и размеров наномасштабных материалов», - сказал проф. Кемпа. - Этот метод может «лепить наноразмерные кристаллы способами, которые раньше были недоступны. Наш метод может существенно сэкономить время и деньги на обработку. Наша способность управлять этими кристаллами по желанию может быть полезной для приложений в области хранения энергии, квантовых вычислений и квантовой криптографии».


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT