Numonyx и Ovonyx заключили соглашение о лицензировании технологии памяти с фазовым переходом

Компании Numonyx и Ovonyx заключили лицензионное соглашение, согласно которому первая получит возможность производить чипы памяти с использованием технологии памяти с фазовым переходом (РСМ, phase change memory) благодаря доступу к соответствующим патентам и интеллектуальной собственности Ovonyx.

В настоящее время РСМ является альтернативой популярной DRAM и флэш-памяти. Отмечается, что обе родительские компании Numonyx - Intel и ST Microelectronics – продуктивно сотрудничают с Ovonyx, руководство которой надеется на укрепление бизнес-отношений с ней в данном направлении.

Как отмечают специалисты, памяти с фазовым переходом имеет ряд весомых преимуществ в сравнении с широко применяемой в настоящее время флэш-технологией. В первую очередь - более высокая надежность. Другое достоинство PCM – возможность достижения большего, чем у флэш-памяти, быстродействия.