Новые модули памяти Samsung 12 Гбит LPDDR5 DRAM нацелены на флагманские смартфоны

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства, по ее заявлению, первой в отрасли 12-гигабитной мобильной DRAM-памяти LPDDR5, которая оптимизирована для эффективной работы функций с применением 5G и ИИ на будущих смартфонах. Выпуск новых модулей начался всего через пять месяцев после старта производства 12 Гбит LPDDR4X — модулей предыдущего поколения.

В конце июля Samsung также намерена начать массовое производство 12-гигабайтных планок памяти LPDDR5, каждая из которых будет объединять 8 чипов.

«Запуская массовое производство модулей 12 Гбит LPDDR5 второго поколения Samsung, выполненных по 10-нм техпроцессу, мы рады способствовать скорейшему запуску флагманских смартфонов с поддержкой 5G для наших клиентов во всем мире», — прокомментировал исполнительный директор и вице-президент Samsung Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee).

Для 12-гигабитной LPDDR5 заявлена скорость передачи данных 5500 Мбит/c, что примерно в 1,3 раза быстрее, чем мобильная память предыдущего поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), используемая в современных флагманских смартфонах. В 12-гигабитной планке модуль LPDDR5 способен всего за секунду передать 44 ГБ данных, что по объему равно около 12 фильмам в формате Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новый чип также потребляет на 30% меньше энергии, чем его предшественник, благодаря интеграции новой конструкции схемы с улучшенными функциями тактирования, обучения и малым энергопотреблением.

Для оптимизации производственных мощностей Samsung намерена перенести производство своих 12 Гбит LPDDR5 чипов на завод в Пхёнтхэке (Корея), начиная со следующего года, в зависимости от спроса со стороны клиентов. Кроме того, в следующем году компания планирует разработку 16-гигабитной LPDDR5 памяти.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365