Новая технология MRAM избавит от заторов при интенсивной работе с данными

Инженеры-электротехники Северо-Западного университета (штат Иллинойс) и Университета Мессины (Италия) продемонстрировали созданное ими устройство быстродействующей памяти MRAM на базе антиферромагнитных материалов. Оно имеет самые маленькие размеры из устройств такого типа и использует рекордно малый ток для записи данных.

Педрам Халили (Pedram Khalili), доцент Инженерной школы Маккормика Северо-Западного университета, отметил, что существующее оборудование не может выдержать быстрый рост датацентричных вычислений. «Наша технология, в принципе, способна решить эту проблему», — заявил он.

Халили возглавлял это исследование вместе с Джованни Финоччио (Giovanni Finocchio), адъюнкт-профессором из Мессины. Его результаты опубликованы 10 февраля в журнале Nature Electronics.

В антиферромагнитной памяти данные хранятся без расходования электричества, кроме того, они устойчивы к воздействию внешних магнитных полей. Однако в предыдущих работах исследователи испытывали трудности с контролем магнитного порядка в этих материалах.

Команда Халили выбрала для своих экспериментов ранее не использовавшуюся геометрию — их устройство состояло из массива столбиков антиферромагнитного интерметаллида платины и марганца диаметром 800 нанометров (в десять раз меньше, чем в прежней антиферромагнитной MRAM).

Важным преимуществом такой конструкции является её совместимость с производственными процессами индустрии полупроводников, что приближает быстродействующую и хорошо масштабируемую память MRAM к практическим приложениям.

«Мы продолжаем работать над уменьшением масштаба этих устройств и улучшением методов считывания их магнитного состояния, — сказал Халили. — Кроме того ищем более эффективные способы записи данных в антиферомагнитые материалы, такие как замена тока на напряжение — сложная задача, которая может повысить энергоэффективность ещё на порядок или даже больше».