`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

На базе германия создан транзистор с изменяемым типом проводимости

0 
 
На базе германия создан транзистор с изменяемом типом проводимости

Объединённая команда учёных Лаборатории материалов наноэлектроники (NaMLab gGmbH) и CFAED (Cluster of Excellence Center for Advancing Electronics Dresden) продемонстрировала первый в мире германиевый транзистор с переключаемым типом проводимости.

Меньшая ширина запрещённой зоны германия по сравнению с кремнием позволила снизить расход энергии и напряжение питания транзистора. Тип проводимости — электронная (n) или дырочная (p) — определяется напряжением, поданным на один из электродов затвора.

Использование материалов с узкой запрещённой зоной, таких как германий или арсенид индия, открывает перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов и увеличения производительности микроэлектронных схем. Одной из главных проблем таких материалов является более высокий уровень статических потерь энергии в выключенном режиме транзистора. Коллектив NaMLab/CFAED решил её сконструировав из германиевых нанопроводов транзистор с независимыми затворными зонами.

«Полученные нами результаты впервые демонстрируют низкое рабочее напряжение в сочетании с уменьшенной утечкой и являются ключевой предпосылкой для создания новых энергоэффективных схем», — заявил доктор Вальтер Вебер (Walter Weber), возглавляющий в CFAED Лабораторию исследований нанопроводников. Он является одним из автором статьи, опубликованной в журнале ACS Nano.

Успішний кейс побудови ефективної кібербезпеки для групи компаній

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT