+22 голоса |
Исследователи из Калифорнийского университета в Санта Барбара (UCSB) продемонстрировали разработанную ими методику изготовления интегральных схем атомарной толщины, с транзисторами и проводниками, вырезаемыми в монослое графена.
Как объясняет профессор Банерджи (Kaustav Banerjee), возглавляющий лабораторию наноэлектронных исследований в UCSB, запрещенную энергетическую зону графена возможно настраивать литографически — узкие полоски этого материала могут быть полупроводящими, тогда как широкие имеют металлические свойства. Таким образом, непрерывные полоски графена на своем протяжении могут становиться активными или пассивными устройствами, потери на контактном интерфейсе между которыми будут сведены к минимуму.
Для точной оценки функционирования сложных логических цепей на основе нанополосок графена со множеством гетеропереходов, группа Банерджи применила собственную методологию, базирующуюся на методе неравновесной функции Грина (Non-Equilibrium Green’s Function, NEGF).
Согласно опубликованной информации, графеновые схемы демонстрировали запас помехоустойчивости в 1,7 раз выше и статическое энергопотребление на 1-2 порядка меньше, чем современные КМОП-технологии. По мнению Банерджи, учитывая масштаб исследований, ведущихся во всем мире в области манипулирования графеном, появления практичных схем на его основе (в том числе гибких и прозрачных) можно ожидать уже в ближайшем будущем.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+22 голоса |