Intel представила новую дорожную карту производства чипов и нацелилась на ангстремы
Компания Intel вчера провела специальное мероприятие Intel Accelerated, на котором обнародовала одну из самых подробных дорожных карт процессов и технологий упаковки, которые когда-либо предоставляла. Речь идет о периоде до 2025 года по меньшей мере.
Помимо анонса RibbonFET, своей первой новой транзисторной архитектуры за более чем десятилетие, и PowerVia, первого в отрасли нового метода подачи питания с обратной стороны кремниевого кристалла, компания заявила о намерении быстрого внедрения EUV-литографии следующего поколения. Компания первой в отрасли планирует получить производственный инструмент для литографии с высокой числовой апертурой High NA EUV.
«Опираясь на неоспоримое лидерство Intel в области передовых процессов упаковки чипов, мы намерены ускорить нашу инновационную стратегию, чтобы к 2025 году выйти на четкий путь к лидерству в процессах полупроводникового производства», - отметил генеральный директор Intel Пэт Гелсиндгер. «Мы используем наш уникальный запас наработок для дальнейшего развития технологических процессов – от транзисторов до системного уровня. До тех пор, пока периодическая таблица не исчерпана, мы будем неустанно следовать Закону Мура и нашему пути к созиданию с помощью магии кремния», дословно заявил он.
Компания считает, что традиционное именование технологических процессов на основе нанометров перестало соответствовать фактической метрике размера затворов транзистора в 1997 году. Intel представила новую структуру наименования, стремясь дать клиентам более точное представление технологических узлов. Важность этого отмечается в контексте запуска Intel Foundry Services (IFS). «Обнародованные сегодня инновации будут способствовать не только плану развития продукции Intel. Они также будут иметь решающее значение для клиентов нашего бизнеса по контрактному производству полупроводников», - подчеркнул Гелсингер.
Итак, теперь у компании будут следующие названия процессов и технологических норм выпускаемых процессоров:
Intel 7 обеспечивает увеличение производительности на ватт примерно на 10–15% по сравнению с Intel 10 нм SuperFin на основе оптимизации транзисторов FinFET. Этот процесс будет представлен в таких продуктах, как Alder Lake для ПК в 2021 году и Sapphire Rapids для центров обработки данных, производство которых ожидается в первом квартале 2022 года.
Intel 4 будет полностью базироваться на литографии EUV. При увеличении производительности на Ватт примерно на 20%, а также повышении компактности, Intel 4 будет готов к производству во второй половине 2022 года для продуктов, поставляемых в 2023 году, включая Meteor Lake для клиентских систем и Granite Rapids для центров обработки данных.
Intel 3, как планируется, будет базироваться на дальнейшей оптимизации FinFET и улучшенном EUV, чтобы обеспечить увеличение производительности на Ватт примерно на 18% по сравнению с Intel 4. Этот процесс будет готов к производству продуктов во второй половине 2023 года.
Intel 20A, по заявлению компании, откроет эру ангстрема с двумя революционными технологиями. RibbonFET с окружающим (Gate-All-Around, GAA) затвором станет первой новой транзисторной архитектурой Intel со времен первого внедрения FinFET в 2011 году. Эта технология обеспечивает более высокую скорость переключения транзисторов при меньшей занимаемой площади с током канала, сравнимым с многоканальной конфигурацией. PowerVia – это реализованная Intel первая в отрасли система подачи питания со стороны подложки, позволяющая оптимизировать передачу сигналов за счет избавления от необходимости маршрутизации цепей питания на фронтальной стороне кремниевой пластины. Ожидается, что Intel 20A выйдет на рынок в 2024 году.
Компания заявила, что помимо Intel 20A, в рамках Intel 18A уже находится в разработке усовершенствованная RibbonFET, которая обеспечит еще один значительный скачок в производительности транзисторов к началу 2025 года.
Intel также, тесно сотрудничая с ASML, работает над определением, созданием и развертыванием нового поколения High NA EUV и надеется получить первый производственный инструмент в отрасли.
«Intel имеет долгую историю фундаментальных технологических инноваций, которые стремительно продвигали отрасль вперед», - заявила д-р Энн Келлехер, старший вице-президент и генеральный менеджер по развитию технологий - «Мы возглавили переход на напряженный кремний на 90 нм, на металлические затворы с высоким коэффициентом k на 45 нм и на FinFET на 22 нм. Intel 20A станет еще одним переломным моментом в технологических процессах благодаря двум революционным инновациям: RibbonFET и PowerVia».
