Intel и Micron изготовили первые образцы флэш-памяти с уровнем детализации 50 нм

26 июль, 2006 - 12:39
Micron Technology и корпорация Intel начали выпуск образцов флэш-памяти NAND, впервые в мире изготовленной по технологии с уровнем детализации 50 нм. Чипы емкостью 4 Gb производятся на мощностях IM Flash Technologies, совместного предприятия, основанного Intel и Micron в январе 2006 г.

Компании рассчитывают уже в следующем году наладить массовые поставки микросхем NAND различной емкости, созданных с применением данного техпроцесса. Переход на уровень 50 нм позволит им удовлетворить растущий спрос на высокоемкую флэш-память NAND, обусловленный активным спросом на цифровые плееры и фотоаппараты, сменные карточки памяти и портативные коммуникационные устройства.

По новейшим прогнозам, сегмент NAND глобального рынка памяти в текущем году вырастет до 13-16 млрд долл., а в 2010 г. его оборот достигнет 25-30 млрд долл.