Infineon начала выпуск чипов для сотовых телефонов с уровнем детализации 65 нм

Infineon Technologies AG 12 мая объявила о том, что первые микросхемы для сотовых телефонов, изготовленные с с уровнем детализации 65 нм, уже доступны для заказов.

Это наиболее совершенная а сегодняшний день технология, которую Infineon готовит для внедрения в массовый производственный процесс, обеспечивает увеличение производительности и снижение расхода энергии и позволяет интегрировать в одном чипе площадью 33 мм кв. более 30 млн транзисторов.

Корректность функционирования всех компонентов новых микросхем, и в том числе, их работы в сетях GSM разных стандартов, проверена испытаниями в лабораториях компании в Дуйсбурге, Мюнхене и Бангалоре (Индия). Они продемонстрировали способность Infineon применять 65-нанометровую технологию для изготовления высоконадежных ядер MCU/DSP, памяти и гибридных цифроаналоговых схем для применения в сотовых телефонах.

Новый техпроцесс создан в результате совместных исследований Infineon, IBM, Chartered и Samsung, в составе альянса ICIS, нацеленного на совершенствование полупроводниковых технологий с уровнем детализации 65-45 нм.