Это наиболее совершенная а сегодняшний день технология, которую Infineon готовит для внедрения в массовый производственный процесс, обеспечивает увеличение производительности и снижение расхода энергии и позволяет интегрировать в одном чипе площадью 33 мм кв. более 30 млн транзисторов.
Корректность функционирования всех компонентов новых микросхем, и в том числе, их работы в сетях GSM разных стандартов, проверена испытаниями в лабораториях компании в Дуйсбурге, Мюнхене и Бангалоре (Индия). Они продемонстрировали способность Infineon применять 65-нанометровую технологию для изготовления высоконадежных ядер MCU/DSP, памяти и гибридных цифроаналоговых схем для применения в сотовых телефонах.
Новый техпроцесс создан в результате совместных исследований Infineon, IBM, Chartered и Samsung, в составе альянса ICIS, нацеленного на совершенствование полупроводниковых технологий с уровнем детализации 65-45 нм.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |