K |
4 |
H |
XX |
XX |
X |
X |
X |
X |
X |
XX |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
11 |
Префикс производителя |
Тип |
Продукт |
Емкость и регенерация |
Организация |
Количество
банков |
Интерфейс (VDD, VDDQ) |
Версия
чипа (поколение) |
Тип
корпуса |
Диапазон рабочих
температур и энергопотребление |
Быстродействие |
Samsung Memory |
4:
DRAM |
H:DDR SDRAM |
64: 64 Mb, 4K/64 мс |
04: x4 |
3:04 |
8:SSTL-2 (2,5 В, 2,5 В) |
M:1-е |
T:TSOP II (400mil) |
C:коммерческий (0-70 °C), обычное |
CC: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=3,
tRP=3) |
|
|
|
28:128 Mb, 4K/64 мс |
06:x4 Stack |
|
|
A:2-е |
G:60Ball FBGA |
L:коммерческий (0-70 °C), пониженное |
C4: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=4,
tRP=4) |
|
|
|
56:256 Mb, 8K/64 мс |
07:x8 Stack |
|
|
B:3-е |
N:sTSOP II |
|
B3: DDR333 (166 MHz при CL=2,5, tRCD=3,
tRP=3) |
|
|
|
51:512 Mb, 8K/64 мс |
08:x8 |
|
|
C:4-е |
|
|
AA: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=2,
tRP=2) |
|
|
|
1G:1 Gb, 8K/64 мс |
16:x16 |
|
|
D:5-е |
|
|
A2: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=3,
tRP=3) |
|
|
|
|
|
|
|
E:6-е |
|
|
B0: DDR266 (133MHz при CL=2.5, tRCD=3,
tRP=3) |
|
|
|
|
|
|
|
F:7-е |
|
|
A0: DDR200 (100 MHz при CL=2, tRCD=2,
tRP=2) |