Samsung

K 4 H XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
Префикс производителя Тип Продукт Емкость и регенерация Организация Количество банков Интерфейс (VDD, VDDQ) Версия чипа (поколение) Тип корпуса Диапазон рабочих температур и энергопотребление Быстродействие
Samsung Memory 4: DRAM H:DDR SDRAM 64: 64 Mb, 4K/64 мс 04: x4 3:04 8:SSTL-2 (2,5 В, 2,5 В) M:1-е T:TSOP II (400mil) C:коммерческий (0-70 °C), обычное CC: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=3, tRP=3)
      28:128 Mb, 4K/64 мс 06:x4 Stack     A:2-е G:60Ball FBGA L:коммерческий (0-70 °C), пониженное C4: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=4, tRP=4)
      56:256 Mb, 8K/64 мс 07:x8 Stack     B:3-е N:sTSOP II   B3: DDR333 (166 MHz при CL=2,5, tRCD=3, tRP=3)
      51:512 Mb, 8K/64 мс 08:x8     C:4-е     AA: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=2, tRP=2)
      1G:1 Gb, 8K/64 мс 16:x16     D:5-е     A2: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=3, tRP=3)
              E:6-е     B0: DDR266 (133MHz при CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)
              F:7-е     A0: DDR200 (100 MHz при CL=2, tRCD=2, tRP=2)