Samsung

K	4	H	XX	XX	X	X	X	X	X	XX
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
Префикс производителя	Тип	Продукт	Емкость и регенерация	Организация	Количество банков	Интерфейс (VDD, VDDQ)	Версия чипа (поколение)	Тип корпуса	Диапазон рабочих температур и энергопотребление	Быстродействие
Samsung Memory	4: DRAM	H:DDR SDRAM	64: 64 Mb, 4K/64 мс	04: x4	3:04	8:SSTL-2 (2,5 В, 2,5 В)	M:1-е	T:TSOP II (400mil)	C:коммерческий (0-70 °C), обычное	CC: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=3, tRP=3)
			28:128 Mb, 4K/64 мс	06:x4 Stack			A:2-е	G:60Ball FBGA	L:коммерческий (0-70 °C), пониженное	C4: DDR400 (200 MHz при CL=3, tRCD=4, tRP=4)
			56:256 Mb, 8K/64 мс	07:x8 Stack			B:3-е	N:sTSOP II		B3: DDR333 (166 MHz при CL=2,5, tRCD=3, tRP=3)
			51:512 Mb, 8K/64 мс	08:x8			C:4-е			AA: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=2, tRP=2)
			1G:1 Gb, 8K/64 мс	16:x16			D:5-е			A2: DDR266 (133 MHz при CL=2, tRCD=3, tRP=3)
							E:6-е			B0: DDR266 (133MHz при CL=2.5, tRCD=3, tRP=3)
							F:7-е			A0: DDR200 (100 MHz при CL=2, tRCD=2, tRP=2)