`

Schneider Electric - Узнайте все про энергоэффективность ЦОД


СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Фундаментальное ограничение толщины нанопреобразователей преодолено

+11
голос

Фундаментальное ограничение толщины нанопреобразователей преодолено

Интегрированные наноэлектромеханические преобразователи делают возможным создание сверхминиатюрных датчиков и актуаторов для механического взаимодействия с окружающей средой на атомном уровне. Однако реализация электромеханического преобразования в наномасштабе представляет очень непростую задачу.

В работе, о которой рассказывает недавняя публикация в Nature Electronics, инженеры университета штата Флорида сконструировали сверхтонкий электромеханический преобразователь из ферроэлектрических плёнок цирконий-гафниевого оксида (Hf0.5Zr0.5O2) толщиной 10 нанометров.

«Проблема обычных плёнок преобразователей заключается в фундаментальных ограничениях масштабирования, — пояснил один из руководителей исследовательской группы, Рузбех Табризян (Roozbeh Tabrizian). — Например, пленки нитрида алюминия, широко применяющиеся в радиочастотных фильтрах современных мобильных телефонов, должны быть толщиной в нескольких сотен нанометров, чтобы обеспечить кристаллическую текстуру, требуемую для эффективного электромеханического преобразования. Дальнейшее уменьшение толщины пленки резко снижает эффективность преобразования и препятствует обнаружению и генерированию датчиком исчезающе малых движения на наноуровне».

По сравнению с традиционными плёнками для преобразователей плёнки оксида циркония/гафния обладают существенными преимуществами. В частности, их можно модифицировать на атомном уровне (например, легированием или атомно-слоевой техникой, ALS), стабилизируя метастабильные ферроэлектрические фазы гафния и получая эффективное электромеханическое преобразование при толщинах всего несколько нанометров.

В своей работе университетские исследователи интегрировали полученные сверхтонкие преобразователи в силиконовые и нитрид-алюминиевые мембраны, получив резонаторы с характерными частотами между 340 кГц и 13 ГГц и рекордно высоким коэффициентом добротности — 3,97*1012.

Важнейшие приложения, которые смогут выиграть от появления подобных наномеханических резонаторов для миллиметрового радиодиапазона это, в первую очередь, встраиваемые сверхширокополосные фильтры для 5G и будущих, более совершенных беспроводных технологий, преобразователи для квантовых сенсоров, работающих при комнатных температурах, и источники сверхвысоких частот для спектроскопии.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT