Использование углеродных нанотрубок для отвода тепла из мощных транзисторов позволило Fujitsu Laboratories впервые реализовать в формате flip-chip действующие высокочастотные усилители класса 100 Вт для базовых станций мобильной связи четвертого поколения (4G).
Компании удалось добиться этого благодаря двустороннему рассеиванию тепла – избыток энергии отводится с обеих сторон микросхемы транзистора (под ней смонтирован теплопоглотитель). Помимо увеличения эффективности отвода тепла в 1,5 раза, данная инновация помогла уменьшить размеры устройства примерно на 30% по сравнению с габаритами современных транзисторов.
Подробности нового достижения Fujitsu представила на международном симпозиуме RFIT 2009 (Radio-Frequency Integration Technology) в Сингапуре. Компания продолжит совершенствование технологии с целью обеспечить ее практическое внедрение в мобильные базовые станции 4G (IMT-Advanced) к 2011 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |