`

Schneider Electric - Узнайте все про энергоэффективность ЦОД


СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Синтезированы плёнки 2D-полупроводника коммерческих размеров

0 
 

Физики синтезировали плёнки 2D-полупроводника коммерческих размеров

Технологию выращивания в промышленных масштабах атомарных слоёв перспективного 2D-полупроводника, дисульфида молибдена (MoS2), разработали сотрудники лаборатории атомно-слоевого осаждения Московского физико-технического института (МФТИ). Возможность синтеза плёнок MoS2 площадью в несколько десятков квадратных сантиметров создаёт предпосылки для создания нового поколения тонких и гибких электронных устройств, оптических коммуникаций для будущих компьютеров и для прогресса во многих других областях электроники и оптоэлектроники.

Предложенный метод состоит из двух этапов. Сначала, на поверхности заготовки диаметром до 300 мм атомно-слоевым осаждением создаётся плёнка MoO3. Затем, путём нагрева в атмосфере серных паров, атомы кислорода в плёнке замещаются атомами серы.

В статье, вышедшей в ACS Applied Nano Materials, авторы показали, что структура получаемого 2D-материала зависит от температуры синтеза. Сульфуризация при 500 °C даёт аморфные плёнки с включениями кристаллических зёрен размером в несколько нанометров. При 700 °C зерна увеличиваются до 10-20 нм, причём чередующиеся атомные слои S-Mo-S ориентируются перпендикулярно плоскости плёнки. Из-за этого на поверхности возникает много свободных связей, и материал демонстрирует высокую каталитическую активность во ряде химических реакциях.

В диапазоне температур 900–1000 градусов Цельсия происходит синтез наиболее подходящих для использования в электронике плёнок толщиной 1,3 нанометра (два молекулярных слоя), в которых атомарные слои параллельны плоскости заготовки.

Полученные при этих оптимальных условиях плёнки были протестированы в составе прототипных структур металл-диэлектрик-полупроводник на базе оксида гафния, моделирующих полевой транзистор. Проводимость образованного MoS2 полупроводникового канала контролировалась переключением направления поляризации ферроэлектрического слоя. Испытания показали рекордную коммутационную стабильность такого канала, она достигала 5 млн циклов, в 50 раз превысив лучший результат, полученный для кремниевого канала.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT