| +22 голоса |
|
Инновации в современных информационных технологиях во многом определяются развитием высокоплотной быстрой энергонезависимой памяти с низким электропотреблением.
Резистивная память с произвольным доступом (resistance-switching random access memory, RRAM) рассматривается как перспективная в этом контексте по сравнению с DRAM и флэш-памятью, которые снижают производительность при приближении к предельным технологическим нормам. RRAM имеет преимущество не только в производительности и простоте производства, но и в том, что может быть реализована на трехмерных ячейках, что существенно повышает ее плотность. Массив памяти типа кроссовой матрицы, в которой материал с изменяемым сопротивлением размещается между шинами слов и бит, является наиболее обещающей структурой.
Однако глубоко параллельная геометрия массива требует реализации определенного устройства выбора, чтобы предотвратить проблемы помех, вызванных операцией чтения. Соединяя диод Шоттки с каждым элементом с изменяемым сопротивлением может быть решением этой проблемы. Диод в рассматриваемом случае будет требовать очень высокого коэффициента выпрямления тока и очень низкого прямого сопротивления вдобавок к низкой температуре изготовления (< 400 °C), которая необходима, чтобы не разрушить материал.
Исследовательская группа проф. Cheol Seong Hwang из Сеульского национального университета использовала современные технологии осаждения атомного слоя для изготовления оксидного диода типа Шоттки, составленного из многослойной структуры Pt/TiO2/Ti. Слой TiO2 действует как полупроводник n-типа с широкой запрещенной зоной, так что граница контакта Ti/TiO2 составляет электронный инжектирующий переход, тогда как граница TiO2/Pt работает как запирающий переход.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
