Японская фирма Genusion сообщила о выпуске тестового образца новой быстродействующей флэш-памяти. Устройство емкостью 4 Mb основано на технологии B4-Flash, использующей для программирования памяти процесс B4-HE (back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron), разработанный этой компанией.
По ее данным, механизм B4-HE имеет достаточный потенциал для обеспечения производительности программирования 100 Mbps, что в 10 и более раз превосходит возможности современных флэш-чипов.
Компания, базирующаяся в г. Амагасаки (преф. Хього), сообщает, что при изготовлении тестового чипа ескостью 4 Mb использовались стандартные технологии производства флэш-памяти, полномасштабный выпуск продукта она планирует начать в 2009 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
Еще один шаг к замене HDD