STMicroelectronics переходит на техпроцесс CMOS RF с нормой 45 нм

Известный поставщик полупроводниковых решений и производитель чипов для приложений беспроводной связи компания STMicroelectronics объявил о выпуске прототипа устройства, произведенного по 45-нанометровой технологии CMOS Radio Frequency (RF).

Она является модификацией стандартного процесса производства полупроводников и позволяет располагать пассивные устройства (конденсаторы, резисторы, индукторы) на высокопроизводительных интегральных схемах. Данная технология имеет большое значение, в частности, для выпуска оборудования, используемого в беспроводных сетях Wi-Fi нового поколения.

Прототип системы на чипе был изготовлен в г. Кролль (Франция) на базе 300-миллиметровой кремниевой пластины. Чип размером 0,45 кв. мм, имеет рабочее напряжение 1,1 В и содержит усилитель, преобразователь частоты (микшер), аналого-цифровой преобразователь и фильтр. Таким образом, новый чип самостоятельно обнаруживает радиосигнал и преобразует его в цифровые данные, готовые для последующей обработки.

Он обеспечивает высокое быстродействие и плотность и демонстрирует возможности компании ST Microelectronics в области производства мобильных решений с использованием CMOS RF и уровнем детализации 45 нм.