SK Hynix разработала 72-слойную флэш-память

11 апрель, 2017 - 13:45
SK Hynix разработала 72-слойную флэш-память

Компания SK Hynix сообщила, что ею успешно разработана первая в индустрии микросхема TLC 3D NAND, состоящая из 72 слоёв. Ёмкость анонсированного устройства составляет 32 ГБ (256 Гб), оно предназначено для использования в смартфонах и накопителях SSD.

Ближайший конкурент, Samsung Electronics, на данный момент освоил выпуск лишь 64-слойного чипа 3D NAND. Начать поставки аналогичного 64-слойного продукта готовится и японская Toshiba.

По информации SK Hynix, её новая микросхема вмещает в полтора раза больше ячеек памяти, чем предыдущее 48-слойное поколение, дебютировавшее в ноябре 2016 г., и обеспечивает ускорение записи и чтения на 20%. Кроме того, переход на 72 слоя увеличит на 30% производительность технологических линий этого южнокорейского чипмейкера.

Рынок памяти NAND, по прогнозам Gartner, достигнет оборота 46,5 млрд долл. в этом году и 56,5 млрд — в 2021. Доля 3D NAND в общих прошлогодних поставках NAND равнялась 18,8%, в этом году она составит уже 43,4%, а в следующем — 66,2%.

SK Hynix занимает второе место в глобальном рейтинге поставщиков DRAM после Samsung. На рынке NAND она пока лишь пятая, но имеет шанс улучшить своё положение если ей удастся приобрести подразделение памяти Toshiba — японский конгломерат выставил его на продажу, чтобы восполнить убытки от своего офшорного бизнеса по строительству атомных электростанций.