Samsung выпустила NAND-модули объемом 128 ГБ на трехбитных MLC-чипах

Компания Samsung представила трехбитные MLC-чипы NAND-памяти, на базе которых созданы модули объемом 128 ГБ.

Эти компоненты eMMC 5.0 позиционируются, прежде всего, как решения для недорогих смартфонов и планшетов, тогда как в высокоуровневых решениях данного класса используется память на базе технологий Universal Flash Storage (UFS) 2.0 либо eMMC 5.1. По заявлению производителя, его предложение является рекордным по плотности хранения в классе eMMC 5.0.

Скорость передачи данных в новых модулях памяти в режиме последовательного чтения новых чипов составляет 260 Мбит/с, а при блочном случайном доступе при чтении и записи соответственно 6000 IOPS и 5000 IOPS. Отмечается, что по данному показателю новинка в 4 и в 10 раз превосходят стандартные сменные карты памяти.