Samsung разработала объемный блок памяти

Компания Samsung Electronics сообщила о создании малогабаритного чипа памяти с высокой плотностью, при производстве которого используется соединение TSV (through silicon via) и новая технология wafer-level processed stack package (WSP).

Технология WSP позволяет производить многокристальные модули (MCP) малых размеров, в которых отдельные кристаллы объединяются в стопки. Для связи между кристаллами в MCP используется проводное соединение, для чего между слоями требуются зазоры толщиной в сотни микронов. В WSP вместо этого вырезается отверстие диаметром в несколько микрон, пронизывающее все кристаллы стопки, и в нем выполняется соединение. Данный подход позволяет уменьшить площадь чипа на 15% и высоту -- на 30% по сравнению с аналогичными MCP решениями.

Сочетание WSP и TSV позволяет удешевить процесс производства, поскольку вместо метода последовательного сухого травления для создания отверстия используется тонкое лазерное сверло.

Кроме того, при использовании технологии WSP уменьшается длина соединений, вследствие чего производительность чипа возрастает примерно на 30%. Применение решений, созданных на основе данной технологии, в мобильных устройствах и бытовой электронике позволит уменьшить их размеры, и увеличить время работы элементов питания.

Первый чип памяти в 16 Gbit, произведенный с применением технологии WSP, появится в начале 2007 года. Предлагаемое изделие высотой 0,56 мм, состоит из 8 кристаллов NAND по 2Gb (высотой 50 микрометров каждый), располагающихся стопкой, один над другим. В дальнейшем компания Samsung планирует применить данную технологию к решениям "система-в-корпусе" (SiP) и модулям DRAM.