Samsung наращивает выпуск микросхем памяти HBM2 8 ГБ

Компания Samsung Electronics сообщила об увеличении выпуска микросхем памяти типа HBM2 (High Bandwidth Memory-2) емкостью 8 ГБ. Это обусловлено растущим объемом высокопроизводительных вычислений, задач искусственного интеллекта, а также сетевых систем и корпоративных серверов.

Каждый чип HBM2 производства Samsung состоит из восьми кристаллов и контроллера в основании стека, которые связаны сквозными вертикальными соединениями TSV (Through Silicon Via). Таким образом, поскольку каждый слой содержит около 5 тыс. таких контактов, то на всю микросхему приходится 40 тыс. контактов. Это сокращает задержки в передаче сигналов, предусматривая возможность перекоммутации каналов в случае их перегрузки. Компания отмечает, что располагает более 850 патентами на технологии HBM2 и TSV.

Впервые чипы HBM2 были продемонстрированы год назад в июне 2016 г, их пропускная способность (256 GB/s) в восемь раз выше, чем у микроскхем GDDR5 DRAM.

По заверениям Samsung объем чипов HBM2 емкостью 8 ГБ к лету следующего года достигнет половины от всех выпускаемых компанией HBM2-микросхем.