Samsung наладила массовый выпуск 256 Гб чипов 48-слойной V-NAND

Компания Samsung официально сообщила о начале массового производства чипов памяти Vertical NAND (V-NAND), которые содержат 48 слоев и имеют емкость 256 Гб.

Отмечается, что это уже третье поколение продуктов, выпускаемых по технологии V-NAND. Предыдущее поколение было анонсировано в августе прошлого года, когда компания представила чипы емкостью 128 Гб содержавшие 32 слоя.

Как отмечают представители Samsung, современные чипы V-NAND по сравнению с предыдущим поколением на 30% более эффективны по потреблению электроэнергии. Их себестоимость существенно ниже, поскольку их производство на 40% более продуктивно. В новом чипе V-NAND каждая ячейка 3D Charge Trap Flash (CTF) входит в состав объемной структуры с 48 уровнями. Для их соединения применяется 1,8 млрд каналов, которые пробиваются с помощью специальной технологии. В целом чип содержит свыше 85,3 млрд ячеек.

Компания планирует до конца года наладить активные поставки новых чипов, что должно стимулировать переход SSD на терабайтный уровень.

Необходимо также отметить, что неделю назад Toshiba анонсировала выпуск своего варианта 48-слойного 3D NAND-чипа емкостью 256 Гб, однако его массовый выпус намечен лишь на первую половвину следующего года.