Компания Samsung Electronics объявила о начале массового выпуска чипов GDDR5 с использованием 50-нанометрового техпроцесса. Новые микросхемы будут применяться в качестве графической памяти в ПК, видеокартах и игровых консолях.
Максимальная пропускная способность чипов GDDR5 составляет 7 Гб/с, что позволит производить рендеринг трехмерных изображений со скоростью 28 ГБ/с – это значение более чем вдвое превышает соответствующий показатель чипов GDDR4 (12,8 ГБ/с).
Применение 50-нанометрового техпроцесса, по мнению Samsung, должно увеличить эффективность производства в два раза в сравнении с уровнем детализации 60 нм. Кроме того, рабочее напряжение чипов GDDR5 составляет 1,35 В – на 20% меньше, чем у микросхем GDDR4 (1,8 В).
На данный чипы доступны в конфигурациях 32 Мб ×32 и 64 Мб ×16. Компания Samsung предполагает, что в 2009 г. на GDDR5 будет приходиться более 20% рынка графической памяти.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
