Samsung начала выпуск 20 нм чипов мобильной памяти LPDDR4 емкостью 12 Гб

10 сентябрь, 2015 - 14:35
Samsung начала выпуск 20 нм чипов мобильной памяти LPDDR4 емкостью 12 Гб

Samsung Electronics начала серийное производство первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 DRAM емкостью 12 Гб на базе своего 20-нанометрового техпроцесса.

Как говорят в компании, на сегодняшний день это наибольшая плотность памяти среди чипов для мобильных устройств, которая позволит выпускать микросхемы объемом до 6 ГБ.

Новинки передают данные со скоростью 4266 Мб/с в расчете на вывод, что на треть выше показателя микросхем памяти LPDDR4 из компонентов плотностью 8 Гб и вдвое выше показателя памяти DDR4-2133 для ПК. При этом продукты Samsung еще и потребляют на 20% меньше энергии.

Производитель нацеливает новую память не только для применения в мобильных устройствах, но и в мини-ПК, бытовой и автомобильной электронике.