Samsung начала массовый выпуск DDR2-памяти по технологии 80 нм

Samsung Electronics объявила о начале массового производства 512-мегабитовых чипов памяти DDR2 с использованием 80-нм технологической нормы.

Компания планирует плавно перестроить производство с 90-нм на 80-нм технологический процесс, и поскольку в нем использованы многие принципы 90-нм геометрии, то производственные линии потребуют минимального обновления.

Переход к 80-нм стал возможен за счет использования технологии Recess Channel Array Transistor (RCAT), одной из особенностей которой является применение трехмерной архитектуры транзистора. Она позволяет существенно улучшить частоту регенерации, а также уменьшить размер ячейек (и, следовательно, повысить их плотность на пластине).

Согласно прогнозу Gartner Dataquest, доля продаж DDR2 на рынке памяти в 2006 году достигнет 50%. По оценке специалистов, применение новой технологии позволит повысить эффективность производства на 50% по сравнению с используемой сейчас 90-нм технологией и таким образом удовлетворить возрастающий спрос.