Samsung начала массовое производство микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит

Samsung Electronics начала массовое производство первых в мире микросхем памяти GDDR6 плотностью 16 Гбит, которые предназначены для использования в графических ускорителях следующего поколения, и для беспилотных автомобилей и систем искусственного интеллекта.

Новая память будет производиться с использованием 10-нанометрового техпроцесса. В итоге память GDDR6 вдвое превзойдет по плотности 8-гигабитные микросхемы GDDR5, которые производятся с использованием 20-нанометрового техпроцесса.

Микросхемы GDDR6 обеспечат скорость передачи данных в 18 Гб/с на контакт или 72 ГБ/с в общем, что вдвое превышает скорость передачи данных памяти GDDR5 с 8 Гб/с на контакт.

При этом, как заявляется, память GDDR6 потребляет на 35% меньше энергии, работая с напряжением 1,35 В против 1,55 В у GDDR5.