`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Обнаружено ключевое соединение для высокотемпературной сверхпроводимости

+11
голос

Исследовательская группа в Японии нашли новое соединение H5S2, которое показывает новую фазу сверхпроводимости при компьютерном моделировании. Дальнейшие теоретические и экспериментальные исследования, основанные на H5S2, предсказывают, что эти группы приведут к выяснению механизма высокотемпературной сверхпроводимости, который реализуется в сероводороде.

Для традиционных сверхпроводников температура, при которой наступает сверхпроводимость, настолько мала, что ее практически трудно реализовать. В прошлом году появилась поразительная новость, что H2S побил рекорд критической сверхпроводящей температуры под высоким давлением. Тем не менее, соотношение химического состава серы и водорода и кристаллической структуры в процессе, при котором сверхпроводимость была обнаружена, не были хорошо изучены.

Исследовательская группа во главе с Такахиро Ишикава (Takahiro Ishikawa), специально назначенным доцентом, и проф. Кацуя Шимидзу (Katsuya Shimizu), из Центра по науке и технике экстремальных состояний и др. предсказали новую сверхпроводящую фазу сероводорода (H5S2), которая должна была наступить при давлении 1,1 млн. бар при компьютерном моделировании.

Сверхпроводящая критическая температура получена для H5S2, чье расчетное значение было таким же, как экспериментальное. Этот результат может привести к выяснению механизма, лежащего за высокотемпературной сверхпроводимостью, которая наблюдается в сероводороде, путем дальнейшего теоретического и экспериментального исследования вещества H5S2.

Кроме того, применения использованных методов и знаний, полученных этой группой, к другим гидридам легких элементов, позволит разработать руководящие принципы для повышения критической температуры сверхпроводимости до значений, близких к комнатной.

Обнаружено ключевое соединения для высокотемпературной сверхпроводимости

а. Кристаллическая структура соединения H5S, предсказанная с помощью техники генетического алгоритма. Структура формируется смесью из молекул H2S и H3S. б. Сравнение критической температуры сверхпроводящего перехода (Tc) экспериментальных и расчетных результатов. Значение Tc, вычисленное для H5S2, показывает хорошее согласие с экспериментальными данными сверхпроводящей фазы II (SC-II)

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT