`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Новый «4-D» транзистор может стать основой будущих компьютеров

+44
голоса

Новый тип транзистора, напоминающего формой новогоднюю елку, создан исследователями из университетов Пердью и Гарварда. Он сделан из материала, который мог бы заменить кремний уже через 10 лет.

Каждый транзистор содержит три тонких нанопроволоки, сделанных из арсенида индия-галлия. Три нанопроволоки последовательно уменьшаются, образуя конусообразное сечение, похожее на новогоднюю елку. Исследование основано на предыдущей работе, в которой команда создала 3-D структуру взамен традиционного плоского транзистора. Используемый подход мог бы позволить инженерам строить более компактные, производительные и эффективные БИС и более легкие лэптопы, генерирующие меньше тепла, чем сегодняшние. Новая разработка показывает, как улучшить производительность устройств, соединяя транзисторы вертикально в параллельную цепь.

«Соединение транзисторов в стек дает в результате больший ток и ускорение операций для высокоскоростных вычислений. Это прибавляет новое измерение, поэтому я назвал их 4-D», - сказал проф. Пейд «Питер» Е (Peide "Peter" Ye) из Университета Пердью.

Новейшее поколение кремниевых компьютерных чипов, представленное в 2012 г., содержит транзисторы, имеющие вертикальную 3-D структуру взамен обычной плоской конструкции. Однако поскольку у кремния подвижность электронов ограничена, то вскоре понадобятся другие материалы, чтобы продолжать улучшать 3-D транзисторы.

Среди этих материалов – арсенид индия-галлия, который сегодня интенсивно изучается с целью замены им кремния. Такие полупроводники называются материалами III-V, поскольку являются комбинацией элементов из III и V групп таблицы Менделеева.

Современные полевые транзисторы содержат важные элементы, называемые затворами. Чем меньше затвор, тем выше быстродействие. В кремниевых 3-D транзисторах длина затвора около 22 нм. Затворы такой длины плохо работают в плоских транзисторах, именно поэтому нужна 3-D структура. Ожидается, что к 2015 г. длина затвора сократится до 14 нм, а к 2018 г. – до 10 нм. Однако дальнейшее уменьшение затворов в кремниевых транзисторах будет невозможным, поэтому и нужны новые материалы.

Создание меньших транзисторов потребует также новых изоляторов. При уменьшении длины затвора менее 14 нм, в диэлектриках, используемых в обычных транзисторах, начинается утечка заряда.

Нанопроволоки в новых транзисторах покрываются разными типами композитных изоляторов: слоем алюмината лантана толщиной 4 нм со сверхтонким полунанометровым слоем окисла алюминия. Новый сверхтонкий диэлектрик позволяет исследователям создавать транзисторы из арсенида индия-галлия с затворами 20 нм.

Новый «4-D» транзистор может стать основой будущих компьютеров

Изображение сечения нового типа транзистора, полученное с помощью электронного микроскопа

+44
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT