Samsung Electronics объявила о начале широкомасштабного выпуска экономичной памяти DDR3 емкостью 4 Гб по технологии 40 нм, анонсированной в июле прошлого года. Новая высокоплотная память позволит существенно сократить расход энергии в серверных системах, высокоуровневых ноутбуках и ЦОД.

Микросхема 4 Гб DDR3 поддерживает рабочее напряжение как 1,5 В, так и 1,35 В, скорость обмена данными 1,6 Гб/с. Она поставляется в составе модулей RDIMM 16 и 32 ГБ и SoDIMM 8 ГБ.

В 16-гигабайтовых модулях она обеспечивает экономию до 35% потребляемой энергии (если сравнивать с чипами 2 Гб DDR3 40 нм) – применительно к серверам это поможет удовлетворить и превзойти новые нормативные требования Energy Star. Объем оперативной памяти в серверных решениях с применением нового чипа возрастет вдвое, кроме того, значительно увеличится срок жизни таких систем,а следовательно, сократятся инвестиции в обновление компьютерного парка.