Компания Rambus обнародовала Mobile Memory Initiative – план по созданию памяти с полосой пропускания в 4,3 Гб/с и высокой энергоэффективностью.

На базе таких чипов можно создать модуль памяти DRAM для мобильных устройств с пропускной способностью 17 ГБ/с. Такие впечатляющие характеристики по словам Rambus достигаются благодаря использованию архитектуры FlexClocking и поддержке технологий Very Low-Swing Differential Signaling и Advanced Power State Management.

Ожидается, что данный тип памяти будет применяться при производстве памяти для смартфонов, нетбуков и портативных приставок. Тест первых решений, выпущенных в рамках Mobile Memory Initiative, будет проведен на выставке DesignCon 2009.