Наноэлектроника упрощается

11 май, 2009 - 13:15Леонід Бараш

Исследователи развили новый подход к изготовлению технологически важных устройств, приближающийся к атомной шкале. Джереми Леви (Jeremy Levy) с коллегами из Питтсбургского Университета сконструировали транзисторы размером 2 нм. Это значительно меньше, чем большинство современных транзисторов, изготовленных по последнему слову техники, которые достигают 45 нм. Более того, эти устройства могут быть стерты и преобразованы по желанию, что важно для наноэлектронных приложений.

Сегодня большинство транзисторов изготавливаются из кремния с помощью оптической литографии, однако их трудно сделать меньше 20 нм. В противоположность этому, новая техника позволяет получать транзисторы величиной всего 2 нм – в 10 раз меньше линейно и в 100 раз – по площади.

Техника, которая была описана в прошлом году, включала использование зонда атомно-силового микроскопа, чтобы прочертить проводящие пути, или проводники всего несколько нанометров в ширину на границе раздела кристалла титаната стронция и алюмината лантана (оба изоляторы). Проводники затем могли быть удалены с помощью приложения обратного напряжения или с помощью света, который восстанавливал изолирующую структуру. Эта обратимая природа процесса делает его потенциально полезным для таких приложений, как устройства памяти.

Теперь команда из Питтсбурга сделала шаг вперед, изготовив тонкие полевые транзисторы и туннельные переходы, а также проводники на субстрате из изолятора. По мнению исследователей, это новое направление наноэлектроники будет важным в области памяти высокой плотности, химических сенсоров и компьютерных процессоров.

Но и это еще не все: поскольку размеры устройств близки к атомной шкале, они могут быть использованы для изучения квантово-механических явлений, к примеру, туннельного эффекта.