На горизонте – память на базе С60

Новый тип энергонезависимой памяти, в которой одна молекула С₆₀ встраивается в ячейку флэш-памяти, предложен исследователями из Корнельского Университета, США. Молекулы с хорошо определенными энергетическими уровнями встраиваются в кварц, образуя туннельный барьер между плавающим затвором и кремниевым каналом. Такая память допускает количество записей/стираний на порядок большее, чем память на металлических нанокристаллах, что делает ее претендентом для изготовления устройств хранения следующего поколения.

Ранее память на металлических нанокристаллах провозглашалась как лучший кандидат для чипов следующего поколения. Однако время хранения данных в памяти такого типа, которое должно быть более 10 лет, все еще на порядок меньше требуемого. Одно из решений этой проблемы – создание более эффективных туннельных барьеров, или резонансных туннельных барьеров, которые состоят из слоя кремниевых нанокристаллов, заключенных между двумя слоями кварца. К сожалению, это трудно достижимо.

Ученые из Корнельского Университета показали реальный способ преодолеть эту проблему с помощью самособирающихся молекул С₆₀ вместо кремниевых нанокристаллов.