| +11 голос |
|
Простой процесс намагничивания, разработанный израильскими физиками, сделал возможным создание магнитных запоминающих устройств, не нуждающихся в постоянных магнитах, и позволяющих уменьшить размеры бита до одиночной наночастицы.
В соответствии с квантовой теорией, помимо заряда электроны имеют степень внутренней свободы, называемую спином, определяющую их магнитные свойства. Как объясняется в статье в Nature Communications, новая технология немагнитной спиновой памяти (magnetless spin memory, MSM), заключается в пропускании тока через хиральный материал (тип распространенных органических молекул) и селективном переносе электронов для намагничивания нанослоев или наночастиц.
Такая технология позволяет преодолеть ограничения, свойственные другим типам магнитной памяти, и создавать недорогие, быстрые и высокоплотные запоминающие устройства, потребляющие значительно меньше энергии, чем современные решения. Совместимость с методами промышленного изготовления интегральных схем упростит внедрение MSM в производство.
К настоящему моменту уже изготовлены и протестированы концептуальные прототипы немагнитной спиновой памяти. Внедренческие организации Еврейского университета и Научного института Вайцмана занимаются лицензированием MSM и привлечением средств для ее дальнейшего совершенствования и коммерциализации, новая многообещающая технология уже привлекла внимание ряда венчурных фондов.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
