Молибденитовые транзисторы могут излучать свет

16 сентябрь, 2013 - 12:15Леонід Бараш

Таковы результаты работы исследователей из Соединенного Королевства, США и Германии. Они подтверждают возможность создания источников света и других оптических элементов из слоистых 2D-полупроводников, таких как MoS2 для будущих оптоэлектронных применений.

Сделанный из молибдена и серы однослойный MoS2 является полупроводником с запрещенной зоной с прямым переходом (1,8 эВ), что лучше подходит для изготовления некоторых оптических устройств, чем кремний с запрещенной зоной с непрямым переходом. Действительно, некоторые ученые начинают верить, что он может потеснить даже чудо-материал графен (у которого вообще нет запрещенной зоны в естественном состоянии) в будущих электронных схемах.

Материал показывает также хорошую подвижность зарядов, больше, чем 100 см2/Вс, и даже до 500 см2/Вс – значений, которые сравнимы с лучшими образцами кремния. Кроме того, он совместим с различными подложками – даже прозрачными или пластиковыми. Наконец, однослойный молибденит имеет толщину всего 0,65 нм, т.е. из него можно сделать очень тонкий транзистор.

Теперь, команда исследователей, возглавляемая Фаэдоном Авурисом (Phaedon Avouris) и Матиасом Штайнером (Mathias Steiner) из Уотсоновского исследовательского центра IBM, увидела, что двумерный MoS2 излучает свет при возбуждении электрическим током. Такая, зависимая от запрещенной зоны эмиссия света в 2D-полупроводниках, является важной и интенсивно изучаемой темой в нанотехнологиях.

Команда получила свои результаты, пропуская электрический ток через транзистор, содержащий однослойный MoS2 в качестве материала канала. «С помощью оптического микроскопа мы были в состоянии определить эмиссию света в видимой части спектра через прозрачную подложку, - сказал Штайнер. – Однако предстоит еще большая работа, прежде чем оптоэлектроника на базе MoS2 сможет конкурировать с кремнием, поскольку интенсивность излучения относительно низкая».

Молибденитовые транзисторы могут излучать свет

Вверху: полевой транзистор с верхним затвором и оптическая установка
Внизу слева: псевдоцветное изображение, показывающее излучение света в окрестности края контакта. Расположение Cr/Au-контактов выделяется толстыми пунктирными линиями (белым), слой MoS2 указан тонкими пунктирными линиями (серым).
Внизу справа: спектры абсорбции (Abs), эмиссии света (EL) и фотолюминесценции (PL) одного и того же образца MoS2