Между DRAM и флеш NAND - новый продукт от Toshiba Memory

Компания Toshiba Memory Europe объявила о запуске в производство нового решения в области памяти класса хранилища (Storage Class Memory, SCM) — XL-FLASH . 

 

Решение основано на технологии Toshiba - 3D-флеш-памяти BiCS FLASH с размещением 1 бита данных в ячейке (SLC) - и обеспечивает низкую задержку и высокую производительность, востребованные в дата-центрах и корпоративных хранилищах данных, как отмечается.

 

Решение XL-FLASH, представляющее собой память класса хранилища, или энергонезависимую память, способно сохранять содержимое аналогично флеш-памяти NAND и устраняет разрыв в производительности между памятью типов DRAM и NAND. Энергозависимая память, в том числе DRAM, обеспечивает необходимую скорость доступа к данным для работы приложений с высокими требованиями, но такая производительность связана с высокими затратами. Когда стоимость DRAM-решений в расчете на бит данных становится слишком высокой, а возможности масштабирования сходят на нет, SCM-уровень в иерархии запоминающих устройств позволяет решить эту проблему, предлагая экономически эффективное решение в виде энергонезависимой флеш-памяти NAND с высокой плотностью хранения данных. Аналитическая компания IDC прогнозирует расширение рынка SCM-устройств до более чем 3 млрд долл. в 2022 году.

 

Занимая нишу между DRAM и флеш-памятью NAND, решение XL-FLASH обеспечивает рост скорости, снижение задержки и увеличение объемов устройств хранения данных при более низкой стоимости по сравнению с традиционной DRAM-памятью. XL-FLASH будет первоначально выпускаться в формате SSD, но впоследствии может быть реализовано и в формате устройств, подключенных к каналу памяти на шине DRAM, таких как энергонезависимые двухрядные модули памяти (NVDIMM), которые должны в будущем стать промышленным стандартом.

 

Основные особенности XL-FLASH: 

кристалл емкостью 128 гигабит (Гб) (модуль из 2, 4 или 8 кристаллов); 

размер страницы 4 КБ для повышения эффективности чтения и записи операционной системой; 

16-секционная архитектура для более эффективной параллельной работы; низкое время чтения и программирования страниц: память XL-FLASH обладает низкой задержкой чтения — менее 5 микросекунд, что примерно в 10 раз быстрее по сравнению с существующей памятью TLC.

 

Отмечается, что как создатель флеш-памяти NAND, первой компании, представившей технологию 3D-флеш-памяти, и лидера по смене технологических процессов, компания Toshiba Memory находится в максимально благоприятных условиях для выпуска SCM-устройств на основе памяти SLC, обладая сформировавшейся производственной инфраструктурой, отработанной масштабируемостью и проверенной временем надежностью выпускаемой памяти SLC.

 

«XL-FLASH — самое высокопроизводительное выпускаемое сегодня NAND-решение благодаря нашей флеш-памяти BiCS FLASH, работающей в режиме SLC, — отметил Аксель Штёрманн (Axel Stoermann), вице-президент компании Toshiba Memory Europe. — Размещая в ячейке только один бит, нам удалось значительно повысить производительность. А поскольку память XL-FLASH основана на проверенных технологиях, которые уже используются в серийном производстве, применяя XL-FLASH в качестве решения в сфере памяти класса хранилища наши клиенты смогут сократить время вывода продукции на рынок».

 

Поставки ознакомительных образцов начнутся в сентябре, а начало серийного производства запланировано на 2020 г.