| 0 |
|
Исследователи Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) научились создавать, перемещать и уничтожать проводящие дорожки шириной в несколько атомов. Об их открытии повествуется в статье, недавно опубликованной в Nature Nanotechnology.
Технологии адаптивной электроники вызывают большой интерес в научном сообществе, среди их перспектив не только создание чипов с изменяемыми функциями, но и микросхем, устойчивых к дефектам, конфигурирующих себя так, чтобы использовать только исправные компоненты. Более того, с их помощью предполагают воспроизвести в искусственном мозге процесс обучения с образованием новых связей между нервными клетками (синапсов).
Чтобы получить такие гибкие проводящие пути, швейцарские ученые воздействовали электрическим полем на ферроэлектрический материал. При этом происходила поляризация. Несколько лет назад уже было показано, что на границах поляризованных областей формируются области проводимости толщиной в несколько атомов, называемые стенками. Однако до сих пор управлять конфигурацией таких стенок было невозможно.
В EPFL показали, что это вполне осуществимо, если использовать слоистую структуру с платиновыми компонентами снаружи и ферроэлектриком внутри.
«Прикладывая электрические поля локально, к металлическим частям, мы смогли создавать дорожки в разных местах, перемещать их, а также уничтожать полем обратной полярности», — пишет ведущий автор статьи, Макгилли (Leo Mc Gilly). При использовании электродов с низкой проводимостью, заряд распространялся в структуре ферроэлектрика достаточно медленно, что позволяло точно контролировать этот процесс. Применение электродов с высокой проводимостью приводило к быстрому и хаотическому формированию стенок доменов.
До сих пор авторы ограничивались опытами на отдельных материалах. Их следующий шаг будет заключаться в разработке прототипа переконфигурируемой схемы.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
