Таблица 1. Основные характеристики "стандартных" модулей памяти PC3200 
Производитель модуля  Маркировка модуля  Маркировка микросхем  Количество микросхем
в модуле, шт. 
Прошитые тайминги
для DDR400* 
Лучшие тайминги
для DDR333** 
Лучшие тайминги для DDR400**  Максимальный режим работы при  таймингах 8-4-4-3 
Модули PC3200 256 MB 
V-Data (A-Data)  MDGVD5F3G3750B1E04  Vdata  VDD8608A8A-5B  8-3-3-2,5  5-2-2-2  5-3-3-2  DDR466 
Apacer  77.10636.18G  Infineon  HYB25D256809BT-5  8-4-4-3  5-2-2-2  5-2-3-2,5  DDR433 
Apacer  77,50636,56G  MOSEL VITELIC  V58C2256804SAT5B  8-4-4-3  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR466 
Crucial  CT3264Z40B.8T2  Micron  MT46V32M8-5B  8-3-3-3  5-2-2-2,5  5-2-2-2,5  DDR533+*** 
Hynix  HYMD232646B8R-D43 WD  Hynix  HY5DU56822BT-D43  8-3-3-3  5-2-3-2  5-3-3-2  DDR533+*** 
Hynix (лиценз.)  HYNIX PC400  Hynix  HY5DU56822CT-D43  8-3-3-3  5-2-3-2  5-3-3-2  DDR533+*** 
Infineon  HYS64D32300GU-5-B  Infineon  HYB25D256800BT-5  8-3-3-3  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR500 
JetRam  JM334D643A-5L=JC  JetRam  J56D3AT-5L  8-3-3-3  5-2-2-2  5-2-2-2,5  DDR466 
JetRam  JM334d643a-50=JA  PSC  A2S56D30BTP  8-3-3-2,5  5-2-2-2  5-3-3-2  DDR466 
Pmi  MD44256PQM  PQI  PQ4D328M5  8-4-4-2.5  5-2-2-2  5-2-2-2,5  DDR500 
Kingston (ValueRAM)  KVR400X72C3/256  Infineon  HYB25D256800BT-5  8-4-4-3  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR466 
NCP  NC6561  NCP  NP25D328256K-5  8-4-4-3  5-2-3-2  5-2-3-2  DDR466 
Samsung  M368L3223ETM-CCC  Samsung  K4H560838E  8-3-3-3  5-2-3-2,5  5-3-3-2.5  DDR466 
Модули PC3200 512 MB 
V-Data (A-Data)  MDGVD5F3H4750D1E02  Vdata  VDD8608A8A-5B  16  8-3-3-2,5  5-2-2-2  5-3-3-2  DDR466 
Apacer  77,50736,56G  MOSEL VITELIC  V58C2256804SAT5B  16  8-4-4-3  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR466 
Hynix  HYMD264646B8R-D43 WD  HYNIX  HY5DU56822BT-D43  16  8-3-3-3  5-2-3-2  5-3-3-2  DDR500 
Infineon  HYS64D64320GU-5-B  Infineon  HYB25D256800BT-5  16  8-3-3-3  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR500 
Pmi  MD44512PQS  PQI  PQ4D328S5  16  8-4-4-2.5  5-2-2-2  5-2-3-2,5  DDR500 
Samsung  M368L6423ETM-CCC  Samsung  K4H560838E  16  8-3-3-3  5-2-3-2,5  5-3-3-2.5  DDR466 
SimpleTech  SVM-DDR3200/512  Infineon  HYB25D256807BT-5  16  8-4-4-3  5-2-2-2  5-3-3-2  DDR466 
takeMS  BD512TEC500  takeMS  M525600320B-5  16  8-3-3-3  5-2-2-2  5-2-3-2.5  DDR466 
Transcend  184P DDR=GM  MOSEL VITELIC  V58C2256804SAT5B  16  8-3-3-2,5  5-2-2-2  5-2-3-2  DDR466 

*Порядок записи таймингов -- TRAS, RAS Precharge, RAS-to-CAS, CAS Latency.
**Тайминги при полном сохранении стабильности работы.
***Дальнейшее наращивание частоты не проводилось.


Красным цветом помечен продукт, отмеченный знаком "Выбор редакции. Лучшее качество"
Оранжевым цветом помечен продукт, отмеченный знаком "Выбор редакции. Лучшая покупка"