| MT | 46 | V | 32M8 | A2 | TG | 5В | L | _ | ES |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
| Префикс производителя | Семейство продуктов | Технологический процесс | Организация, млн. cлов×b | Версия* | Package Codes* | Эффективная частота/тайминги | Особенности чипа* | Диапазон рабочих температур | Служебное поле |
| Micron Technology | 4:DRAM | LC:3,.3 В VDD CMOS | -0 и -A - не тестируются | Нет:0-70 °C | ES:инженерный образец | ||||
| 46:DDR SDRAM | V:2,5 В VDD CMOS | -65:150 MHz | L:пониженное | WT:-25-+85 °C | |||||
| 48:SDRAM | H:1,8 В VDD CMOS | -6G:167 MHz | IT:-40-+85 °C | ||||||
| 47:DDR2 | -6T:167 MHz, 2,5-3-3 | ||||||||
| -6R:167 MHz, 2,5-3-3 | |||||||||
| -6:167 MHz, 2,5-3-3 | |||||||||
| -55:183 MHz | |||||||||
| -5T:200 MHz, 3-4-4 | |||||||||
| -5B:200 MHz, 3-3-3 | |||||||||
| -5A:200 MHz, 2,5-3-3 | |||||||||
| -5:200 MHz | |||||||||
| -4:250 MHz | |||||||||
| -33:300 MHz | |||||||||
| *Назначение полей может меняться | |||||||||