Infineon Technologies

HYB 25 D 256 80 0 C T _ -6
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Префикс производителя Напряжение питания Тип памяти Емкость Банковая организация Вариации продукта Версия продукта Тип корпуса Энергопотребление Тип/тайминги
HYB:микросхема памяти 39:3,3 В S:SDR 128:128 Mb 40:×4 0:стандартная C:действующая C:FBGA Пусто:стандартное 3:DDR2-667, 4-4-4
  25:2,5 В D:DDR 256:256 Mb 80:×8     T:TSOP 400 L:пониженное 3.7:DDR2-533, 4-4-4
  18:1,8 В T:DDR2 512:512 Mb 16:×16     E:TSOP 400   5:DDR2-400, 3-3-3 или DDR400B, 3-3-3
      1Gb:1024 Mb       F:FBGA*   6:DDR333, 2,5-3-3
              G:TSOP   7:DDR266A, 2-3-3
                  7F:DDR266, 2-2-2
*) "Экологический" вариант