| HY | 5D | U | 56 | 8 | 2 | 2 | C | _ | T | - D43 | E |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9* | 10 | 11 | 12 |
| Префикс производителя | Семейство продуктов | Напряжение | Емкость и регенерация | Внутренняя организация | Количество банков | Интерфейс(питание) | Версия чипа (поколение) | Энергопотребление | Тип корпуса | Тип и тайминги | Диапазон рабочих температур |
| HYNIX MEMORY | 5D:DDR SDRAM | V:VDD=3,3 В | 64:64M, 4K Refresh | 4:x4 | 1:2 | 1:SSTL_3 | Пусто: 1-е | Пусто: стандартное | T:TSOP | D43:DDR400 3-3-3 | I:промышленный (-40-85 °C) |
| U:VDD=2,5 В | 66:64M, 2K Refresh | 8:x8 | 2:4 | 2:SSTL_2 | A: 2-е | L: пониженное | Q:LQFP | D4:DDR400 3-4-4 | E:расширенный (-25-85 °C) | ||
| W:VDD=2,5 В | 28:128M, 4K Refresh | 16:x16 | 3:8 | 3:SSTL_18 | B: 3-е | F:FBGA | J:DDR333 | ||||
| S:VDD=1,8 В | 56:256M, 8K Refresh | 32:x32 | C: 4-е | FC:FBGA (UTC:8×13 мм) | M:DDR266 2-2-2 | ||||||
| 57:256M, 4K Refresh | H:DDR266A | ||||||||||
| 12:512M, 8K Refresh | K:DDR266B | ||||||||||
| 1G:1G, 8K Refresh | L:DDR200 | ||||||||||
| *) поле может отсутствовать | |||||||||||