Графен — «антипригарное покрытие» для полупроводниковой заготовки

20 апрель, 2017 - 11:45

Графен — «антипригарное покрытие» для полупроводниковой заготовки

Открытый в 2004 г. графен оказался великолепным проводником электронов, которые распространяются в нём практически не испытывая трения. Однако мечты ученых о сверхпроизводительной и дешевой графеновой электронике большей частью разбиваются о суровую реальность — этот материал неважный полупроводник и из него крайне сложно изготовить качественные транзисторы.

Технология, созданная в исследовательской лаборатории электроники Массачусетского технологического института (MIT) и представленная в свежем выпуске журнала Nature, действительно может позволить графену изменить облик полупроводниковой индустрии, но несколько в другом качестве.

В 2016 г. во всем мире было потрачено примерно 7,2 млрд долл. на пластины, используемые как подложки для микроэлектронных компонентов — транзисторов, диодов и пр. Практически всю эту сумму можно было бы сэкономить, если бы нашёлся способ не повреждая отделять основу от выращенного на ней полупроводника и использовать повторно. В традиционном производстве, после переноса кристаллического порядка из подложки в полупроводник они оказываются неразрывно связаны, образуя единое целое.

Графен — «антипригарное покрытие» для полупроводниковой заготовки

Именно здесь вступает в игру графен благодаря его примечательному механическому свойству: слабые вертикальные связи, обеспечиваемые силами Ван-дер-Ваальса, делают его очень скользким.

Процедура, разработанная инженерами MIT, позволяет размещать 2D-слой графена на поверхности пластины. Исключительно малая толщина графена делает его электрически прозрачным — образующийся поверх него полупроводник без помех «видит» кристаллическую структуру нижней пластины и переносит её на себя.

После завершения такого «копипаста» полученная полупроводниковая пленка так же легко снимается со скользкого промежуточного слоя, как бумага — с типографского пресса.

Это означает, что одна и та же пластина сможет служить основой для изготовления как угодно большого количества полупроводниковых плёнок — тонких и высококачественных схем, пригодных для применения в гибких электронных устройствах.

Как указывают авторы, современная индустрия привязана к кремнию, и хотя известны полупроводники, работающие лучше, они не используются из-за высокой цены. Новый метод «дистанционной эпитаксии» позволяет выбирать материалы, основываясь на их качествах, а не на стоимости, и даже комбинировать различные материалы в одной подложке для получения высокопроизводительных многофункциональных устройств.

Исследователи успешно применили свою технику к фосфиду индия, арсениду галлия и фосфиду галлия — экзотическим материалам, которые дороже кремния в 50-100 раз. Они продемонстрировали изготовленный с её помощью гибкий светодиодный экран с логотипом MIT.