ЕС нацеливает ведущих разработчиков на создание сверхнизковольтных транзисторов

26 сентябрь, 2014 - 16:37
ЕС нацеливает ведущих разработчиков на создание сверхнизковольтных транзисторов

Общей миссией разработки электронных систем будущего со сверхнизким потреблением энергии новый европейский проект E2SWITCH объединил шесть университетов и исследовательских институтов, а также три компании — IBM, CCS и SCIPROM.

«Наша цель создать следующее поколение транзисторов, которые смогут работать от напряжения менее 0,3 В и вплоть до 0,1 В», — заявил Адриан Ионеску (Adrian Ionescu), профессор EPFL, назначенный координатором проекта E2SWITCH. «Между 125 и 150 градусами цифровые схемы начинают утрачивать их функциональность. Но наша новая технология не только потребляет меньше энергии, но и будет сохранять стабильность в более широком диапазоне температур, открывая возможности более продуктивного использования в автомобильной и аэрокосмической отраслях» — добавил он.

В новых электронных системах найдут применение гетероструктуры Tunnel FET (TFET), непосредственно интегрированные в стандартные кремниевые подложки, и использующие квантовомеханические явления для работы от напряжения в пять раз ниже, чем у современных сотовых телефонов.

Мобильные устройства, такие как смартфоны или умные часы, первыми получат возможность воспользоваться преимуществами новой оптимизированной электроники, наряду с повышением автономности, также минимизирующей тепловое рассеивание энергии. Другой перспективной областью внедрения низковольтной технологии, мотивировавшей участие в консорциуме компании IBM, станут будущие компьютерные системы для облаков и Big Data — гигантские серверные кластеры, на которые приходится растущая доля глобального потребления электроэнергии.

Проект рассчитан на 42 месяца и подкрепляется финансированием в объеме 4,3 млн евро.