AMD применила EUV-литографию для производства межкомпонентных соединений чипов

Компания AMD в сотрудничестве с IBM выпустила тестовый образец чипа размером 22x33 мм, в котором для нанесения первого слоя металлических соединений использовалась литография с применением жесткого ультрафиолета (EUV-литография).

Литография широко применяется в производстве сложных чипов, причем с каждым днем микросхемы усложняются, а размер транзисторов – уменьшается. При этом размер транзисторов и металлических межкомпонентных соединений зависит от длины световой волны, используемой для нанесения схемы чипа на пластину. В EUV-литографии используется волна длиной 13,5 нм, что существенно меньше используемой сегодня в 193-нанометровом литографическом оборудовании.

Тестовый образец создавался в несколько этапов. Сначала на производственной линии на AMD в Дрездене (Германия) с помощью стандартного оборудования 193-нм иммерсионной литографии на пластину были нанесены транзисторы. Затем в исследовательском центре IBM, расположенном в College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) при Университете в Олбани (США) с помощью EUV-литографического сканера компании ASML на пластину был создан первый слой металлических межкомпонентных соединений. После травления и напыления металла образцы прошли тестирование в AMD, которое показало, что характеристики полученных транзисторов практически такие же, как и у стандартных, полностью построенных с применением 193-нанометровой иммерсионной литографии.

Эксперты ожидают внедрения EUV-литография в массовое производство до 2016 г., к тому моменту, когда будет достигнут уровень детализации 22-нм. Правда для этого ученым необходимо проверить пригодность данной технологии не только для создания металлических межкомпонентных соединений, но и для всех ключевых этапов производства микросхем, т.е. доказать, что микропроцессор можно полностью построить только с помощью EUV-литографии.