Группа инженеров Национального института материаловедениях (Япония) разработала ключевую для эффективного преобразования энергии схему, использующую высокотемпературный полупроводник — гидрированный путём обработки водородной плазмой алмаз.
Они также продемонстрировали стабильное функционирование логического элемента NOR, образованного из двух алмазных полевых транзисторов при температурах до 300 °C — это вдвое выше верхнего предела работы кремниевой электроники.
Наряду с большей термостойкостью алмазные устройства меньше, легче и эффективнее кремниевых. Они открывают возможность существенно снизить потери энергии на пути от солнечных и ветроэлектростанций в потребительскую энергосеть, сегодня составляющие около 10%.
В статье для Applied Physics Letters, участники исследования сообщили, что модифицировав производственный процесс и заменив оксидные изоляторы они надеются сконструировать логические схемы, пригодные для работы при температурах выше 500 °C и напряжении до 2 кВ.